Справочник MOSFET. SVG096R5NS

 

SVG096R5NS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVG096R5NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SVG096R5NS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG096R5NS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  silan
 svg096r5nt svg096r5ns svg096r5nkl.pdf pdf_icon

SVG096R5NS

SVG096R5NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG096R5NT(S)(KL) N MOS 1 LVMOS 3

 9.1. Size:378K  silan
 svg094r1nt svg094r1ns svg094r1nstr svg094r1nkl.pdf pdf_icon

SVG096R5NS

SVG094R1NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG094R1NT(S)(KL) N MOS LVMOS 1

Другие MOSFET... SVG086R0NSTR , SVG086R0NT , SVG086R5NT , SVG087R0NT , SVG094R1NKL , SVG094R1NS , SVG094R1NSTR , SVG094R1NT , RU6888R , SVG096R5NKL , SVG096R5NT , SVG10120NADTR , SVG10120NAT , SVG10120NSA , SVG103R0NKL , SVG103R0NP7 , SVG103R0NS .

History: PK5H3EN

 

 
Back to Top

 


 
.