SVG10120NAT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVG10120NAT 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 152 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 328 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO220

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Búsqueda de reemplazo de SVG10120NAT MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SVG10120NAT datasheet

..1. Size:395K silan
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SVG10120NAT(D) 80A 100V N 2 SVG10120NAT(D) N MOS LVMOS 1 3

5.1. Size:312K silan
svg10120nsa.pdf pdf_icon

SVG10120NSA 16A 100V N 5 6 7 8 4. SVG10120NSA N MOS 1 2 3. 5 6 7 8. LVMOS 4

9.1. Size:276K 1
svg104r5nt svg104r5ns.pdf pdf_icon

Silan Microelectronics SVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2 field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1 especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3 switching performance. 1.Gate 2.

9.2. Size:317K silan
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