SVG10120NAT Todos los transistores

 

SVG10120NAT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVG10120NAT
   Código: 10120NAT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 152 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 59 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 328 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVG10120NAT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  silan
 svg10120nat svg10120nadtr.pdf pdf_icon

SVG10120NAT

SVG10120NAT(D) 80A100V N 2SVG10120NAT(D) N MOS LVMOS 1 3

 5.1. Size:312K  silan
 svg10120nsa.pdf pdf_icon

SVG10120NAT

SVG10120NSA 16A100V N 5 6 7 8 4. SVG10120NSA N MOS 123. 5678. LVMOS 4

 9.1. Size:276K  1
 svg104r5nt svg104r5ns.pdf pdf_icon

SVG10120NAT

SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.

 9.2. Size:317K  silan
 svg108r5nad.pdf pdf_icon

SVG10120NAT

SVG108R5NAD 94A100V N 2SVG108R5NAD N MOS LVMOS 1

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History: PE506BA | STD5N52K3 | IRFN440

 

 
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