Справочник MOSFET. SVG10120NAT

 

SVG10120NAT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVG10120NAT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 152 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 328 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SVG10120NAT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG10120NAT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  silan
 svg10120nat svg10120nadtr.pdf pdf_icon

SVG10120NAT

SVG10120NAT(D) 80A100V N 2SVG10120NAT(D) N MOS LVMOS 1 3

 5.1. Size:312K  silan
 svg10120nsa.pdf pdf_icon

SVG10120NAT

SVG10120NSA 16A100V N 5 6 7 8 4. SVG10120NSA N MOS 123. 5678. LVMOS 4

 9.1. Size:276K  1
 svg104r5nt svg104r5ns.pdf pdf_icon

SVG10120NAT

SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.

 9.2. Size:317K  silan
 svg108r5nad.pdf pdf_icon

SVG10120NAT

SVG108R5NAD 94A100V N 2SVG108R5NAD N MOS LVMOS 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVG094R1NKL , SVG094R1NS , SVG094R1NSTR , SVG094R1NT , SVG096R5NS , SVG096R5NKL , SVG096R5NT , SVG10120NADTR , MMIS60R580P , SVG10120NSA , SVG103R0NKL , SVG103R0NP7 , SVG103R0NS , SVG103R0NS6TR , SVG103R0NSTR , SVG103R0NT , SVG103R9NS .

History: ZXMN2AMC | PNMDP100V10 | SVG10120NSA | STW12N120K5 | KP751A | IRF2807ZPBF

 

 
Back to Top

 


 
.