SVG103R9NS Todos los transistores

 

SVG103R9NS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVG103R9NS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 189 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 752 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SVG103R9NS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:404K  silan
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SVG103R9NS

SVG103R9NS 120A100V N 2SVG103R9NS N MOS LVMOS 1 3

 7.1. Size:407K  silan
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SVG103R9NS

SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7) 180A100V N 42SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7) N MOS 1 1 LVMOS 3 2,3,5,6,71. 2.

 9.1. Size:276K  1
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SVG103R9NS

SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.

 9.2. Size:312K  silan
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SVG103R9NS

SVG10120NSA 16A100V N 5 6 7 8 4. SVG10120NSA N MOS 123. 5678. LVMOS 4

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History: BLP02N06-Q | QM6007K | AP9938GEY-HF | 2301L | BL30N60-W | HM60N02 | SVS20N60KD2

 

 
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