SVG103R9NS datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVG103R9NS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVG103R9NS 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 189 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 752 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm

Тип корпуса: TO263

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVG103R9NS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SVG103R9NS даташит

..1. Size:404K silan
svg103r9ns.pdf pdf_icon

SVG103R9NS 120A 100V N 2 SVG103R9NS N MOS LVMOS 1 3

7.1. Size:407K silan
svg103r0nt svg103r0ns svg103r0nstr svg103r0nkl svg103r0ns6tr svg103r0np7.pdf pdf_icon

9.1. Size:276K 1
svg104r5nt svg104r5ns.pdf pdf_icon

Silan Microelectronics SVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2 field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1 especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3 switching performance. 1.Gate 2.

9.2. Size:312K silan
svg10120nsa.pdf pdf_icon