SVG103R9NS - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SVG103R9NS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVG103R9NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 189 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 752 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SVG103R9NS

SVG103R9NS Datasheet (PDF)

..1. Size:404K silan
svg103r9ns.pdf

SVG103R9NS 120A100V N 2SVG103R9NS N MOS LVMOS 1 3

7.1. Size:407K silan
svg103r0nt svg103r0ns svg103r0nstr svg103r0nkl svg103r0ns6tr svg103r0np7.pdf

SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7) 180A100V N 42SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7) N MOS 1 1 LVMOS 3 2,3,5,6,71. 2.

9.1. Size:276K 1
svg104r5nt svg104r5ns.pdf

SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.

9.2. Size:312K silan
svg10120nsa.pdf