SVG104R0NT Todos los transistores

 

SVG104R0NT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVG104R0NT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 896 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SVG104R0NT Datasheet (PDF)

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SVG104R0NT

SVG104R0NT(S) 120A100V N 2SVG104R0NT(S) N MOS LVMOS 1 3

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SVG104R0NT

SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.

 7.2. Size:413K  silan
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SVG104R0NT

SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) 120A100V N 2SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) N MOS 1 LVMOS 3

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SVG104R0NT

SVG104R2NT 120A100V N 2SVG104R2NT N MOS LVMOS 1

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History: FQT4N20TF | GP1M013A050XX | AM90N06-03B | GSM9910 | STF34N65M5 | SWR601Q | GSM8823

 

 
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