SVG104R0NT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG104R0NT
Código: 104RONT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 208 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 107 nC
Tiempo de subida (tr): 55 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 896 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVG104R0NT
SVG104R0NT Datasheet (PDF)
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SVG104R0NT(S) 120A100V N 2SVG104R0NT(S) N MOS LVMOS 1 3
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SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.
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SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) 120A100V N 2SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) N MOS 1 LVMOS 3
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
