Справочник MOSFET. SVG104R0NT

 

SVG104R0NT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVG104R0NT
   Маркировка: 104RONT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 107 nC
   Время нарастания (tr): 55 ns
   Выходная емкость (Cd): 896 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SVG104R0NT

 

 

SVG104R0NT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:385K  silan
svg104r0nt svg104r0ns svg104r0nstr.pdf

SVG104R0NT SVG104R0NT

SVG104R0NT(S) 120A100V N 2SVG104R0NT(S) N MOS LVMOS 1 3

 7.1. Size:276K  1
svg104r5nt svg104r5ns.pdf

SVG104R0NT SVG104R0NT

SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.

 7.2. Size:413K  silan
svg104r5nt svg104r5ns svg104r5nstr svg104r5nf svg104r5nkl svg104r5ns6 svg104r5ns6tr.pdf

SVG104R0NT SVG104R0NT

SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) 120A100V N 2SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) N MOS 1 LVMOS 3

 7.3. Size:422K  silan
svg104r2nt.pdf

SVG104R0NT SVG104R0NT

SVG104R2NT 120A100V N 2SVG104R2NT N MOS LVMOS 1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top