SVG104R0NT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVG104R0NT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 896 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVG104R0NT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG104R0NT даташит

 ..1. Size:385K  silan
 svg104r0nt svg104r0ns svg104r0nstr.pdf pdf_icon

SVG104R0NT

SVG104R0NT(S) 120A 100V N 2 SVG104R0NT(S) N MOS LVMOS 1 3

 7.1. Size:276K  1
 svg104r5nt svg104r5ns.pdf pdf_icon

SVG104R0NT

Silan Microelectronics SVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2 field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1 especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3 switching performance. 1.Gate 2.

 7.2. Size:413K  silan
 svg104r5nt svg104r5ns svg104r5nstr svg104r5nf svg104r5nkl svg104r5ns6 svg104r5ns6tr.pdf pdf_icon

SVG104R0NT

 7.3. Size:422K  silan
 svg104r2nt.pdf pdf_icon

SVG104R0NT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVG103R0NP7, SVG103R0NS, SVG103R0NS6TR, SVG103R0NSTR, SVG103R0NT, SVG103R9NS, SVG104R0NS, SVG104R0NSTR, MMIS60R580P, SVG104R2NT, SVG104R5NF, SVG104R5NKL, SVG104R5NS6, SVG104R5NS6TR, SVG104R5NSTR, SVG105R4NKL, SVG105R4NS