SVG104R5NSTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG104R5NSTR
Código: 104R5NS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 208 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 114 nC
Tiempo de subida (tr): 50 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 864 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0042 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVG104R5NSTR
SVG104R5NSTR Datasheet (PDF)
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SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) 120A100V N 2SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) N MOS 1 LVMOS 3
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SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.
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SVG104R0NT(S) 120A100V N 2SVG104R0NT(S) N MOS LVMOS 1 3
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