SVG104R5NSTR - аналоги и даташиты транзистора

 

SVG104R5NSTR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SVG104R5NSTR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 864 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SVG104R5NSTR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG104R5NSTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:413K  silan
 svg104r5nt svg104r5ns svg104r5nstr svg104r5nf svg104r5nkl svg104r5ns6 svg104r5ns6tr.pdf pdf_icon

SVG104R5NSTR

SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) 120A100V N 2SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) N MOS 1 LVMOS 3

 4.1. Size:276K  1
 svg104r5nt svg104r5ns.pdf pdf_icon

SVG104R5NSTR

SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.

 7.1. Size:385K  silan
 svg104r0nt svg104r0ns svg104r0nstr.pdf pdf_icon

SVG104R5NSTR

SVG104R0NT(S) 120A100V N 2SVG104R0NT(S) N MOS LVMOS 1 3

 7.2. Size:422K  silan
 svg104r2nt.pdf pdf_icon

SVG104R5NSTR

SVG104R2NT 120A100V N 2SVG104R2NT N MOS LVMOS 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVG104R0NS , SVG104R0NSTR , SVG104R0NT , SVG104R2NT , SVG104R5NF , SVG104R5NKL , SVG104R5NS6 , SVG104R5NS6TR , IRFP064N , SVG105R4NKL , SVG105R4NS , SVG105R4NSTR , SVG105R4NT , SVG105R5NT , SVG108R5NAD , SVG108R5NAL5 , SVG108R5NAM .

History: FSS923AOD | CS9N95F | AOTF10N50FD | AOTF10N65 | NTB6410ANG | QM3006U | HAT3031R

 

 
Back to Top

 


 
.