SVG104R5NSTR - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SVG104R5NSTR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVG104R5NSTR
   Маркировка: 104R5NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 114 nC
   Время нарастания (tr): 50 ns
   Выходная емкость (Cd): 864 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SVG104R5NSTR

SVG104R5NSTR Datasheet (PDF)

..1. Size:413K silan
svg104r5nt svg104r5ns svg104r5nstr svg104r5nf svg104r5nkl svg104r5ns6 svg104r5ns6tr.pdf

SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) 120A100V N 2SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) N MOS 1 LVMOS 3

4.1. Size:276K 1
svg104r5nt svg104r5ns.pdf

SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.

7.1. Size:385K silan
svg104r0nt svg104r0ns svg104r0nstr.pdf