SVG105R4NT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG105R4NT
Código: 105R4NT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 64 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 652 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVG105R4NT
SVG105R4NT Datasheet (PDF)
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SVG105R4NT(S)(KL) 120A100V N 2SVG105R4NT(S)(KL) N MOS LVMOS 1
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SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.
svg10120nsa.pdf
SVG10120NSA 16A100V N 5 6 7 8 4. SVG10120NSA N MOS 123. 5678. LVMOS 4
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SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) 120A100V N 2SVG104R5NT(S)(F)(KL)(S6) N MOS 1 LVMOS 3
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SVG104R0NT(S) 120A100V N 2SVG104R0NT(S) N MOS LVMOS 1 3
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SVG10120NAT(D) 80A100V N 2SVG10120NAT(D) N MOS LVMOS 1 3
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SVG108R5NAMQ(MJ) 94A100V N 2SVG108R5NAMQ(MJ) N MOS LVMOS 1
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SVG108R5NAM(T) 94A100V N 2SVG108R5NAM(T) N MOS LVMOS 1
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SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7) 180A100V N 42SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7) N MOS 1 1 LVMOS 3 2,3,5,6,71. 2.
svg108r5nal5.pdf
SVG108R5NAL5 80A100V N S D1SVG108R5NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Liste
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