SVG105R4NT - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SVG105R4NT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVG105R4NT
   Маркировка: 105R4NT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 64 nC
   trⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 652 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
   Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SVG105R4NT

SVG105R4NT Datasheet (PDF)

..1. Size:401K silan
svg105r4nt svg105r4ns svg105r4nstr svg105r4nkl.pdf

SVG105R4NT(S)(KL) 120A100V N 2SVG105R4NT(S)(KL) N MOS LVMOS 1

7.1. Size:320K silan
svg105r5nt.pdf

SVG105R5NT 120A98V N 2SVG105R5NT N MOS LVMOS 1

9.1. Size:276K 1
svg104r5nt svg104r5ns.pdf

SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.

9.2. Size:312K silan
svg10120nsa.pdf