SVG108R5NAMJ Todos los transistores

 

SVG108R5NAMJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVG108R5NAMJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 87 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 94 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 408 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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SVG108R5NAMJ Datasheet (PDF)

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SVG108R5NAMJ

SVG108R5NAMQ(MJ) 94A100V N 2SVG108R5NAMQ(MJ) N MOS LVMOS 1

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svg108r5nam svg108r5nat.pdf pdf_icon

SVG108R5NAMJ

SVG108R5NAM(T) 94A100V N 2SVG108R5NAM(T) N MOS LVMOS 1

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SVG108R5NAMJ

SVG108R5NAD 94A100V N 2SVG108R5NAD N MOS LVMOS 1

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SVG108R5NAMJ

SVG108R5NAL5 80A100V N S D1SVG108R5NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

Otros transistores... SVG105R4NKL , SVG105R4NS , SVG105R4NSTR , SVG105R4NT , SVG105R5NT , SVG108R5NAD , SVG108R5NAL5 , SVG108R5NAM , IRF640 , SVG108R5NAMQ , SVG108R5NAT , SVG15670ND , SVG15670NL5 , SVG15670NSA , SVGP02R58NL5 , SVGP03100NCS , SVGP066R1NL5 .

History: IXFK80N50Q3 | 2SK2581 | ME7807S-G | CET3055L | IPP60R280C6 | BF2040R | MX2N4860

 

 
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