Справочник MOSFET. SVG108R5NAMJ

 

SVG108R5NAMJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVG108R5NAMJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 408 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SVG108R5NAMJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG108R5NAMJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:347K  silan
 svg108r5namq svg108r5namj.pdf pdf_icon

SVG108R5NAMJ

SVG108R5NAMQ(MJ) 94A100V N 2SVG108R5NAMQ(MJ) N MOS LVMOS 1

 3.1. Size:333K  silan
 svg108r5nam svg108r5nat.pdf pdf_icon

SVG108R5NAMJ

SVG108R5NAM(T) 94A100V N 2SVG108R5NAM(T) N MOS LVMOS 1

 4.1. Size:317K  silan
 svg108r5nad.pdf pdf_icon

SVG108R5NAMJ

SVG108R5NAD 94A100V N 2SVG108R5NAD N MOS LVMOS 1

 4.2. Size:558K  silan
 svg108r5nal5.pdf pdf_icon

SVG108R5NAMJ

SVG108R5NAL5 80A100V N S D1SVG108R5NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVG105R4NKL , SVG105R4NS , SVG105R4NSTR , SVG105R4NT , SVG105R5NT , SVG108R5NAD , SVG108R5NAL5 , SVG108R5NAM , IRF640 , SVG108R5NAMQ , SVG108R5NAT , SVG15670ND , SVG15670NL5 , SVG15670NSA , SVGP02R58NL5 , SVGP03100NCS , SVGP066R1NL5 .

History: CJ3139KDW | F5043 | IXTQ96N15P | FDS5170N7 | CEB6060N | APM4012NU

 

 
Back to Top

 


 
.