Справочник MOSFET. SVG108R5NAMJ

 

SVG108R5NAMJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVG108R5NAMJ
   Маркировка: 108R5NAMJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   trⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 408 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для SVG108R5NAMJ

 

 

SVG108R5NAMJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:347K  silan
svg108r5namq svg108r5namj.pdf

SVG108R5NAMJ SVG108R5NAMJ

SVG108R5NAMQ(MJ) 94A100V N 2SVG108R5NAMQ(MJ) N MOS LVMOS 1

 3.1. Size:333K  silan
svg108r5nam svg108r5nat.pdf

SVG108R5NAMJ SVG108R5NAMJ

SVG108R5NAM(T) 94A100V N 2SVG108R5NAM(T) N MOS LVMOS 1

 4.1. Size:317K  silan
svg108r5nad.pdf

SVG108R5NAMJ SVG108R5NAMJ

SVG108R5NAD 94A100V N 2SVG108R5NAD N MOS LVMOS 1

 4.2. Size:558K  silan
svg108r5nal5.pdf

SVG108R5NAMJ SVG108R5NAMJ

SVG108R5NAL5 80A100V N S D1SVG108R5NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: OSG70R600FF | NCE65T360F

 

 
Back to Top