SVG108R5NAMJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVG108R5NAMJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 408 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO251
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SVG108R5NAMJ Datasheet (PDF)
..1. Size:347K silan
svg108r5namq svg108r5namj.pdf
svg108r5namq svg108r5namj.pdf
SVG108R5NAMQ(MJ) 94A100V N 2SVG108R5NAMQ(MJ) N MOS LVMOS 1
3.1. Size:333K silan
svg108r5nam svg108r5nat.pdf
svg108r5nam svg108r5nat.pdf
SVG108R5NAM(T) 94A100V N 2SVG108R5NAM(T) N MOS LVMOS 1
4.2. Size:558K silan
svg108r5nal5.pdf
svg108r5nal5.pdf
SVG108R5NAL5 80A100V N S D1SVG108R5NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: SVGQ109R5NAD | SVGP104R5NASTR | CEB84A4 | SVS11N60SD2 | SVG103R0NP7 | UT3N01Z | SWP085R06VT
History: SVGQ109R5NAD | SVGP104R5NASTR | CEB84A4 | SVS11N60SD2 | SVG103R0NP7 | UT3N01Z | SWP085R06VT
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226