SVG108R5NAMQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG108R5NAMQ 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 87 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 94 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 408 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Encapsulados: TO251
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de SVG108R5NAMQ MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SVG108R5NAMQ datasheet
svg108r5nal5.pdf
SVG108R5NAL5 80A 100V N S D 1 SVG108R5NAL5 N MOS 8 LVMOS S D 2 7 D S 3 6
Otros transistores... SVG105R4NS, SVG105R4NSTR, SVG105R4NT, SVG105R5NT, SVG108R5NAD, SVG108R5NAL5, SVG108R5NAM, SVG108R5NAMJ, IRFZ44, SVG108R5NAT, SVG15670ND, SVG15670NL5, SVG15670NSA, SVGP02R58NL5, SVGP03100NCS, SVGP066R1NL5, SVGP069R5NSA
History: SSM9974GS
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180
