SVG108R5NAMQ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVG108R5NAMQ
Маркировка: 108R5NAMQ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 87 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 94 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 55 nC
Время нарастания (tr): 29 ns
Выходная емкость (Cd): 408 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для SVG108R5NAMQ
SVG108R5NAMQ Datasheet (PDF)
..1. Size:347K silan
svg108r5namq svg108r5namj.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svg108r5namq svg108r5namj.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVG108R5NAMQ(MJ) 94A100V N 2SVG108R5NAMQ(MJ) N MOS LVMOS 1
3.1. Size:333K silan
svg108r5nam svg108r5nat.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svg108r5nam svg108r5nat.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVG108R5NAM(T) 94A100V N 2SVG108R5NAM(T) N MOS LVMOS 1
4.2. Size:558K silan
svg108r5nal5.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svg108r5nal5.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVG108R5NAL5 80A100V N S D1SVG108R5NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .