SVGP02R58NL5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVGP02R58NL5 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 294 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2935 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00058 Ohm

Encapsulados: PDFN8-5X6

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Búsqueda de reemplazo de SVGP02R58NL5 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SVGP02R58NL5 datasheet

..1. Size:419K silan
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SVGP02R58NL5 294A 25V N S D 1 SVGP02R58NL5 N MOS 8 LVMOS S D 2 7 D S 3 6

9.1. Size:335K silan
svgp069r5nsa.pdf pdf_icon

SVGP069R5NSA 14A 60V N 5 6 7 8 SVGP069R5NSA N MOS 4. 1 2 3. LVMOS 5 6 7 8. 4

9.2. Size:341K silan
svgp066r1nl5.pdf pdf_icon

SVGP066R1NL5 71A 60V N SVGP066R1NL5 N MOS S D 1 8 LVMOS S D 2 7 D

9.3. Size:388K silan
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