SVGP02R58NL5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVGP02R58NL5
Código: P02R58N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 294 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 134 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2935 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00058 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN8-5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVGP02R58NL5
SVGP02R58NL5 Datasheet (PDF)
svgp02r58nl5.pdf
SVGP02R58NL5 294A25V N S D1SVGP02R58NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svgp069r5nsa.pdf
SVGP069R5NSA 14A60V N 5 6 7 8SVGP069R5NSA N MOS 4. 123. LVMOS 5678. 4
svgp082r6nl5a.pdf
SVGP082R6NL5A 100A80V N S D18SVGP082R6NL5A N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
svgp03100ncs.pdf
SVGP03100NCS 10A28V N Sub SVGP03100NCS N MOS Drain1 Drain2 LVMOS Gate WLCSP-22-2.0x2.0x0.55-0.4 Pin A1
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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