Справочник MOSFET. SVGP02R58NL5

 

SVGP02R58NL5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVGP02R58NL5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 294 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2935 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00058 Ohm
   Тип корпуса: PDFN8-5X6
 

 Аналог (замена) для SVGP02R58NL5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVGP02R58NL5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:419K  silan
svgp02r58nl5.pdfpdf_icon

SVGP02R58NL5

SVGP02R58NL5 294A25V N S D1SVGP02R58NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

 9.1. Size:335K  silan
svgp069r5nsa.pdfpdf_icon

SVGP02R58NL5

SVGP069R5NSA 14A60V N 5 6 7 8SVGP069R5NSA N MOS 4. 123. LVMOS 5678. 4

 9.2. Size:341K  silan
svgp066r1nl5.pdfpdf_icon

SVGP02R58NL5

SVGP066R1NL5 71A60V N SVGP066R1NL5 N MOS S D18 LVMOS S D2 7 D

 9.3. Size:388K  silan
svgp082r6nl5a.pdfpdf_icon

SVGP02R58NL5

SVGP082R6NL5A 100A80V N S D18SVGP082R6NL5A N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6

Другие MOSFET... SVG108R5NAL5 , SVG108R5NAM , SVG108R5NAMJ , SVG108R5NAMQ , SVG108R5NAT , SVG15670ND , SVG15670NL5 , SVG15670NSA , IRF630 , SVGP03100NCS , SVGP066R1NL5 , SVGP069R5NSA , SVGP082R6NL5A , SVGP103R0NP7 , SVGP103R0NT , SVGP104R1NL5 , SVGP104R5NAS .

History: SM2303PSA | 2N7002ET | AM60N10-13D | HM6408 | SVG103R0NSTR | PH1825AL | AP2851GO

 

 
Back to Top

 


 
.