SVGP03100NCS Todos los transistores

 

SVGP03100NCS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVGP03100NCS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 28 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 829 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: WLCSP22-2X2
 

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SVGP03100NCS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:357K  silan
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SVGP03100NCS

SVGP03100NCS 10A28V N Sub SVGP03100NCS N MOS Drain1 Drain2 LVMOS Gate WLCSP-22-2.0x2.0x0.55-0.4 Pin A1

 9.1. Size:335K  silan
svgp069r5nsa.pdf pdf_icon

SVGP03100NCS

SVGP069R5NSA 14A60V N 5 6 7 8SVGP069R5NSA N MOS 4. 123. LVMOS 5678. 4

 9.2. Size:419K  silan
svgp02r58nl5.pdf pdf_icon

SVGP03100NCS

SVGP02R58NL5 294A25V N S D1SVGP02R58NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

 9.3. Size:341K  silan
svgp066r1nl5.pdf pdf_icon

SVGP03100NCS

SVGP066R1NL5 71A60V N SVGP066R1NL5 N MOS S D18 LVMOS S D2 7 D

Otros transistores... SVG108R5NAM , SVG108R5NAMJ , SVG108R5NAMQ , SVG108R5NAT , SVG15670ND , SVG15670NL5 , SVG15670NSA , SVGP02R58NL5 , 10N60 , SVGP066R1NL5 , SVGP069R5NSA , SVGP082R6NL5A , SVGP103R0NP7 , SVGP103R0NT , SVGP104R1NL5 , SVGP104R5NAS , SVGP104R5NASTR .

History: IPB114N03LG | QM4302D | SM4066CSK

 

 
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