SVGP03100NCS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVGP03100NCS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 28 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 829 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: WLCSP22-2X2
Búsqueda de reemplazo de SVGP03100NCS MOSFET
SVGP03100NCS Datasheet (PDF)
svgp03100ncs.pdf
SVGP03100NCS 10A28V N Sub SVGP03100NCS N MOS Drain1 Drain2 LVMOS Gate WLCSP-22-2.0x2.0x0.55-0.4 Pin A1
svgp069r5nsa.pdf
SVGP069R5NSA 14A60V N 5 6 7 8SVGP069R5NSA N MOS 4. 123. LVMOS 5678. 4
svgp02r58nl5.pdf
SVGP02R58NL5 294A25V N S D1SVGP02R58NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
Otros transistores... SVG108R5NAM , SVG108R5NAMJ , SVG108R5NAMQ , SVG108R5NAT , SVG15670ND , SVG15670NL5 , SVG15670NSA , SVGP02R58NL5 , IRFP260N , SVGP066R1NL5 , SVGP069R5NSA , SVGP082R6NL5A , SVGP103R0NP7 , SVGP103R0NT , SVGP104R1NL5 , SVGP104R5NAS , SVGP104R5NASTR .
History: NCEAP60ND30AG | 2SK3663 | IRFBC30SPBF | NCEAP60ND60G | JCS730C | JCS730B
History: NCEAP60ND30AG | 2SK3663 | IRFBC30SPBF | NCEAP60ND60G | JCS730C | JCS730B
Liste
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