SVGP03100NCS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: SVGP03100NCS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 28 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 70 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 829 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP22-2X2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам