Справочник MOSFET. SVGP03100NCS

 

SVGP03100NCS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVGP03100NCS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 28 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 829 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP22-2X2
 

 Аналог (замена) для SVGP03100NCS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVGP03100NCS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:357K  silan
 svgp03100ncs.pdf pdf_icon

SVGP03100NCS

SVGP03100NCS 10A28V N Sub SVGP03100NCS N MOS Drain1 Drain2 LVMOS Gate WLCSP-22-2.0x2.0x0.55-0.4 Pin A1

 9.1. Size:335K  silan
 svgp069r5nsa.pdf pdf_icon

SVGP03100NCS

SVGP069R5NSA 14A60V N 5 6 7 8SVGP069R5NSA N MOS 4. 123. LVMOS 5678. 4

 9.2. Size:419K  silan
 svgp02r58nl5.pdf pdf_icon

SVGP03100NCS

SVGP02R58NL5 294A25V N S D1SVGP02R58NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

 9.3. Size:341K  silan
 svgp066r1nl5.pdf pdf_icon

SVGP03100NCS

SVGP066R1NL5 71A60V N SVGP066R1NL5 N MOS S D18 LVMOS S D2 7 D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVG108R5NAM , SVG108R5NAMJ , SVG108R5NAMQ , SVG108R5NAT , SVG15670ND , SVG15670NL5 , SVG15670NSA , SVGP02R58NL5 , 10N60 , SVGP066R1NL5 , SVGP069R5NSA , SVGP082R6NL5A , SVGP103R0NP7 , SVGP103R0NT , SVGP104R1NL5 , SVGP104R5NAS , SVGP104R5NASTR .

History: 2SK1739A | ME7632 | SUP18N15-95 | AM7382N | SDF20N60JEB | 75N75G-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.