FDP22N50N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDP22N50N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220

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FDP22N50N Datasheet (PDF)

..1. Size:557K fairchild semi
fdp22n50n.pdf

April 2009UniFETTMFDP22N50NN-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.22Features Description RDS(on) = 0.185 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 11A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 49nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 24pF)This advanced technology has been especiall

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Liste

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