FDP22N50N Todos los transistores

 

FDP22N50N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDP22N50N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FDP22N50N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:557K  fairchild semi
 fdp22n50n.pdf pdf_icon

FDP22N50N

April 2009UniFETTMFDP22N50NN-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.22Features Description RDS(on) = 0.185 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 11A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 49nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 24pF)This advanced technology has been especiall

Otros transistores... FDP16AN08A0 , FDP18N20F , STM4439A , FDP18N50 , FDP19N40 , STM4437A , FDP20N50 , FDP20N50F , IRFP250N , FDP24N40 , STM4435 , FDP2532 , FDP2552 , FDP2572 , FDP2614 , STM4433A , FDP26N40 .

History: MDP9N50BTH | FDN361BN | VSA007N02KD | DMN6040SK3-13 | SML1004RAN | 2N5654 | SGO4606T

 

 
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