FDP22N50N - описание и поиск аналогов

 

FDP22N50N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDP22N50N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FDP22N50N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP22N50N даташит

 ..1. Size:557K  fairchild semi
 fdp22n50n.pdf pdf_icon

FDP22N50N

April 2009 UniFETTM FDP22N50N N-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.22 Features Description RDS(on) = 0.185 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 11A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 49nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 24pF) This advanced technology has been especiall

Другие MOSFET... FDP16AN08A0 , FDP18N20F , STM4439A , FDP18N50 , FDP19N40 , STM4437A , FDP20N50 , FDP20N50F , 2N7000 , FDP24N40 , STM4435 , FDP2532 , FDP2552 , FDP2572 , FDP2614 , STM4433A , FDP26N40 .

History: FDMS3600AS | NCEP40ND80G

 

 

 


 
↑ Back to Top
.