Справочник MOSFET. FDP22N50N

 

FDP22N50N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FDP22N50N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 312.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 22 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 49 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.22 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FDP22N50N

 

FDP22N50N Datasheet (PDF)

1.1. fdp22n50n.pdf Size:557K _fairchild_semi

FDP22N50N FDP22N50N

April 2009 UniFETTM FDP22N50N N-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.22? Features Description RDS(on) = 0.185? ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 11A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 49nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 24pF) This advanced technology has been especially tailored to m

Другие MOSFET... IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .

 

 
Back to Top