FDP22N50N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FDP22N50N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для FDP22N50N
FDP22N50N Datasheet (PDF)
fdp22n50n.pdf

April 2009UniFETTMFDP22N50NN-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.22Features Description RDS(on) = 0.185 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 11A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 49nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 24pF)This advanced technology has been especiall
Другие MOSFET... FDP16AN08A0 , FDP18N20F , STM4439A , FDP18N50 , FDP19N40 , STM4437A , FDP20N50 , FDP20N50F , IRFP250N , FDP24N40 , STM4435 , FDP2532 , FDP2552 , FDP2572 , FDP2614 , STM4433A , FDP26N40 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl