Справочник MOSFET. FDP22N50N

 

FDP22N50N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDP22N50N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 49 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FDP22N50N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP22N50N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:557K  fairchild semi
 fdp22n50n.pdf pdf_icon

FDP22N50N

April 2009UniFETTMFDP22N50NN-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.22Features Description RDS(on) = 0.185 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 11A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 49nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 24pF)This advanced technology has been especiall

Другие MOSFET... FDP16AN08A0 , FDP18N20F , STM4439A , FDP18N50 , FDP19N40 , STM4437A , FDP20N50 , FDP20N50F , IRF9540 , FDP24N40 , STM4435 , FDP2532 , FDP2552 , FDP2572 , FDP2614 , STM4433A , FDP26N40 .

 

 
Back to Top

 


 
.