FDP22N50N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDP22N50N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 312.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 22 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 49 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.22 Ohm
Тип корпуса: TO220
FDP22N50N Datasheet (PDF)
1.1. fdp22n50n.pdf 
Size:557K _fairchild_semi
April 2009 UniFETTM FDP22N50N N-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.22? Features Description RDS(on) = 0.185? ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 11A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 49nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 24pF) This advanced technology has been especially tailored to m
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
