SVGP103R0NT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVGP103R0NT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 216 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1188 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
- Selección de transistores por parámetros
SVGP103R0NT Datasheet (PDF)
svgp103r0nt svgp103r0np7.pdf

SVGP103R0NT(P7) 180A100V N SVGP103R0NT(P7) N MOS 2 LVMOS 1
svgp107r0nl5.pdf

SVGP107R0NL5 90A100V N SD18SVGP107R0NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
svgp104r1nl5.pdf

SVGP104R1NL5 136A100V N SD18SVGP104R1NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
svgp104r5nt svgp104r5ns svgp104r5nstr.pdf

SVGP104R5NT(S) 120A100V N 2SVGP104R5NT(S) N MOS LVMOS 1
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: TMU830 | SM1A21NSKP | ATP107 | IRFS133 | AP8600P | IXTP22N15MA | NTD65N03R-035
History: TMU830 | SM1A21NSKP | ATP107 | IRFS133 | AP8600P | IXTP22N15MA | NTD65N03R-035



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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