SVGP103R0NT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVGP103R0NT
Маркировка: P103R0NT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 216 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 180 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 145 nC
Время нарастания (tr): 65 ns
Выходная емкость (Cd): 1188 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.003 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SVGP103R0NT
SVGP103R0NT Datasheet (PDF)
svgp103r0nt svgp103r0np7.pdf
SVGP103R0NT(P7) 180A100V N SVGP103R0NT(P7) N MOS 2 LVMOS 1
svgp107r0nl5.pdf
SVGP107R0NL5 90A100V N SD18SVGP107R0NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
svgp104r1nl5.pdf
SVGP104R1NL5 136A100V N SD18SVGP104R1NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
svgp104r5nt svgp104r5ns svgp104r5nstr.pdf
SVGP104R5NT(S) 120A100V N 2SVGP104R5NT(S) N MOS LVMOS 1
svgp104r5nat svgp104r5nas svgp104r5nastr.pdf
SVGP104R5NAT(S) 120A100V N 2 SVGP104R5NAT(S) N MOS 1 LVMOS 3
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
