SVGP104R5NSTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVGP104R5NSTR
Código: P104R5NS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 114 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 864 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVGP104R5NSTR
SVGP104R5NSTR Datasheet (PDF)
svgp104r5nt svgp104r5ns svgp104r5nstr.pdf
SVGP104R5NT(S) 120A100V N 2SVGP104R5NT(S) N MOS LVMOS 1
svgp104r5nat svgp104r5nas svgp104r5nastr.pdf
SVGP104R5NAT(S) 120A100V N 2 SVGP104R5NAT(S) N MOS 1 LVMOS 3
svgp104r1nl5.pdf
SVGP104R1NL5 136A100V N SD18SVGP104R1NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
svgp103r0nt svgp103r0np7.pdf
SVGP103R0NT(P7) 180A100V N SVGP103R0NT(P7) N MOS 2 LVMOS 1
svgp107r0nl5.pdf
SVGP107R0NL5 90A100V N SD18SVGP107R0NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Liste
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