SVGP104R5NSTR Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVGP104R5NSTR  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 864 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm

Encapsulados: TO263

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SVGP104R5NSTR datasheet

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SVGP104R5NSTR

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SVGP104R5NSTR

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SVGP104R5NSTR

SVGP103R0NT(P7) 180A 100V N SVGP103R0NT(P7) N MOS 2 LVMOS 1

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