SVGP104R5NSTR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVGP104R5NSTR
Маркировка: P104R5NS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 114 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 864 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0042 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SVGP104R5NSTR
SVGP104R5NSTR Datasheet (PDF)
svgp104r5nt svgp104r5ns svgp104r5nstr.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVGP104R5NT(S) 120A100V N 2SVGP104R5NT(S) N MOS LVMOS 1
svgp104r5nat svgp104r5nas svgp104r5nastr.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVGP104R5NAT(S) 120A100V N 2 SVGP104R5NAT(S) N MOS 1 LVMOS 3
svgp104r1nl5.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVGP104R1NL5 136A100V N SD18SVGP104R1NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
svgp103r0nt svgp103r0np7.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVGP103R0NT(P7) 180A100V N SVGP103R0NT(P7) N MOS 2 LVMOS 1
svgp107r0nl5.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVGP107R0NL5 90A100V N SD18SVGP107R0NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .