SVGP104R5NSTR datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVGP104R5NSTR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVGP104R5NSTR 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 864 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO263

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVGP104R5NSTR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:326K silan
svgp104r5nt svgp104r5ns svgp104r5nstr.pdf pdf_icon

6.1. Size:557K silan
svgp104r1nl5.pdf pdf_icon

8.1. Size:488K silan
svgp103r0nt svgp103r0np7.pdf pdf_icon

SVGP103R0NT(P7) 180A 100V N SVGP103R0NT(P7) N MOS 2 LVMOS 1