FDP24N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDP24N40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 46 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDP24N40

FDP24N40 Datasheet (PDF)

..1. Size:296K fairchild semi
fdp24n40 fdpf24n40.pdf

December 2007UniFETTMFDP24N40 / FDPF24N40N-Channel MOSFET 400V, 24A, 0.175Features Description RDS(on) = 0.140 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 12A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 46nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 25pF)This advanced technology has b

..2. Size:1516K onsemi
fdp24n40.pdf

9.1. Size:245K fairchild semi
fdb24an06la0 fdp24an06la0.pdf

January 2004FDB24AN06LA0 / FDP24AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 36A, 24mFeatures Applications rDS(ON) = 20m (Typ.), VGS = 5V, ID = 36A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 16nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: