FDP24N40 Todos los transistores

 

FDP24N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDP24N40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FDP24N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  fairchild semi
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FDP24N40

December 2007UniFETTMFDP24N40 / FDPF24N40N-Channel MOSFET 400V, 24A, 0.175Features Description RDS(on) = 0.140 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 12A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 46nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 25pF)This advanced technology has b

 ..2. Size:1516K  onsemi
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FDP24N40

 9.1. Size:245K  fairchild semi
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FDP24N40

January 2004FDB24AN06LA0 / FDP24AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 36A, 24mFeatures Applications rDS(ON) = 20m (Typ.), VGS = 5V, ID = 36A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 16nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

Otros transistores... FDP18N20F , STM4439A , FDP18N50 , FDP19N40 , STM4437A , FDP20N50 , FDP20N50F , FDP22N50N , IRFB4115 , STM4435 , FDP2532 , FDP2552 , FDP2572 , FDP2614 , STM4433A , FDP26N40 , STM4432 .

 

 
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