FDP24N40. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FDP24N40
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для FDP24N40
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FDP24N40 даташит
fdp24n40 fdpf24n40.pdf
December 2007 UniFETTM FDP24N40 / FDPF24N40 N-Channel MOSFET 400V, 24A, 0.175 Features Description RDS(on) = 0.140 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 12A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 46nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 25pF) This advanced technology has b
fdb24an06la0 fdp24an06la0.pdf
January 2004 FDB24AN06LA0 / FDP24AN06LA0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 36A, 24m Features Applications rDS(ON) = 20m (Typ.), VGS = 5V, ID = 36A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 16nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Другие MOSFET... FDP18N20F , STM4439A , FDP18N50 , FDP19N40 , STM4437A , FDP20N50 , FDP20N50F , FDP22N50N , P55NF06 , STM4435 , FDP2532 , FDP2552 , FDP2572 , FDP2614 , STM4433A , FDP26N40 , STM4432 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913



