Справочник MOSFET. FDP24N40

 

FDP24N40 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDP24N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 46 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для FDP24N40

 

 

FDP24N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  fairchild semi
 fdp24n40 fdpf24n40.pdf

FDP24N40 FDP24N40

December 2007UniFETTMFDP24N40 / FDPF24N40N-Channel MOSFET 400V, 24A, 0.175Features Description RDS(on) = 0.140 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 12A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 46nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 25pF)This advanced technology has b

 ..2. Size:1516K  onsemi
 fdp24n40.pdf

FDP24N40 FDP24N40

 9.1. Size:245K  fairchild semi
 fdb24an06la0 fdp24an06la0.pdf

FDP24N40 FDP24N40

January 2004FDB24AN06LA0 / FDP24AN06LA0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 36A, 24mFeatures Applications rDS(ON) = 20m (Typ.), VGS = 5V, ID = 36A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 16nC (Typ.), VGS = 5V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

Другие MOSFET... FDP18N20F , STM4439A , FDP18N50 , FDP19N40 , STM4437A , FDP20N50 , FDP20N50F , FDP22N50N , STP75NF75 , STM4435 , FDP2532 , FDP2552 , FDP2572 , FDP2614 , STM4433A , FDP26N40 , STM4432 .

 

 
Back to Top