SVGP157R2NS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVGP157R2NS
Código: P157R2NS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 74 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 689 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVGP157R2NS
SVGP157R2NS Datasheet (PDF)
svgp157r5nt svgp157r5np7.pdf
SVGP157R5NT(P7) 100A150V N 2SVGP157R5NT(P7) N MOS LVMOS 1
svgp15751pl3.pdf
SVGP15751PL3 -3A-150V P SVGP15751PL3 P MOS S D18 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svgp15140nl5a.pdf
SVGP15140NL5A 100A150V N SVGP15140NL5A N MOS S D1 8 LVMOS S 7 D2 DS 3 6
svgp15110nl5.pdf
SVGP15110NL5 76A150V N SD18SVGP15110NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
svgp159r3nl5atr svgp159r3nl5tr.pdf
SVGP159R3NL5A(L5) 87A150V N S D18SVGP159R3NL5A(L5) N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6 G 4 5 D
svgp15161pl3a.pdf
SVGP15161PL3A -9A-150V P SSVGP15161PL3A P MOS D18 LVMOS S D2 7 DS3 6
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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