SVGP157R2NS datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVGP157R2NS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVGP157R2NS 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 689 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm

Тип корпуса: TO263

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVGP157R2NS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:380K silan
svgp157r2ns.pdf pdf_icon

SVGP157R2NS 100A 150V N 2 SVGP157R2NS N MOS LVMOS 1 3

6.1. Size:424K silan
svgp157r5nt svgp157r5np7.pdf pdf_icon

7.1. Size:427K silan
svgp15751pl3.pdf pdf_icon

8.1. Size:399K silan
svgp15140nl5a.pdf pdf_icon