Справочник MOSFET. SVGP157R2NS

 

SVGP157R2NS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVGP157R2NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 689 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SVGP157R2NS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVGP157R2NS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:380K  silan
svgp157r2ns.pdfpdf_icon

SVGP157R2NS

SVGP157R2NS 100A150V N 2SVGP157R2NS N MOS LVMOS 1 3

 6.1. Size:424K  silan
svgp157r5nt svgp157r5np7.pdfpdf_icon

SVGP157R2NS

SVGP157R5NT(P7) 100A150V N 2SVGP157R5NT(P7) N MOS LVMOS 1

 7.1. Size:427K  silan
svgp15751pl3.pdfpdf_icon

SVGP157R2NS

SVGP15751PL3 -3A-150V P SVGP15751PL3 P MOS S D18 LVMOS S D2 7 DS 3 6

 8.1. Size:399K  silan
svgp15140nl5a.pdfpdf_icon

SVGP157R2NS

SVGP15140NL5A 100A150V N SVGP15140NL5A N MOS S D1 8 LVMOS S 7 D2 DS 3 6

Другие MOSFET... SVGP104R5NS , SVGP104R5NSTR , SVGP104R5NT , SVGP107R0NL5 , SVGP15110NL5 , SVGP15140NL5A , SVGP15161PL3A , SVGP15751PL3 , IRF1010E , SVGP157R5NP7 , SVGP157R5NT , SVGP159R3NL5ATR , SVGP159R3NL5TR , SVGP20110NP7 , SVGP20110NS , SVGP20110NSTR , SVGP20110NT .

History: MPTP50N60N | SM4915PSK | SWW20N65K | ZXM62P02E6

 

 
Back to Top

 


 
.