SVGP20110NS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVGP20110NS  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 88 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0107 Ohm

Encapsulados: TO263

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SVGP20110NS datasheet

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SVGP20110NS

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SVGP20110NS

SVGP20500NL5 24A 200V N S D 1 8 SVGP20500NL5 N MOS S D 2 7 LVMOS D S 3 6

Otros transistores... SVGP15161PL3A, SVGP15751PL3, SVGP157R2NS, SVGP157R5NP7, SVGP157R5NT, SVGP159R3NL5ATR, SVGP159R3NL5TR, SVGP20110NP7, 4435, SVGP20110NSTR, SVGP20110NT, SVGP20500NL5, SVGQ041R3NL5V-2HSTR, SVGQ041R7NL5V-2HSTR, SVGQ042R8NL5V-2HSTR, SVGQ047R6NL5V-2HS, SVGQ06100ND