SVGP20110NS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVGP20110NS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 88 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0107 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVGP20110NS
SVGP20110NS Datasheet (PDF)
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svgp20110nt svgp20110ns svgp20110nstr svgp20110np7.pdf
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SVGP20110NT(S)(P7) 88A200V N 2SVGP20110NT(S)(P7) N MOS LVMOS 1
8.1. Size:410K silan
svgp20500nl5.pdf
svgp20500nl5.pdf
SVGP20500NL5 24A200V N SD18SVGP20500NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
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Liste
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