Справочник MOSFET. SVGP20110NS

 

SVGP20110NS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVGP20110NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0107 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SVGP20110NS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVGP20110NS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:504K  silan
 svgp20110nt svgp20110ns svgp20110nstr svgp20110np7.pdf pdf_icon

SVGP20110NS

SVGP20110NT(S)(P7) 88A200V N 2SVGP20110NT(S)(P7) N MOS LVMOS 1

 8.1. Size:410K  silan
 svgp20500nl5.pdf pdf_icon

SVGP20110NS

SVGP20500NL5 24A200V N SD18SVGP20500NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6

Другие MOSFET... SVGP15161PL3A , SVGP15751PL3 , SVGP157R2NS , SVGP157R5NP7 , SVGP157R5NT , SVGP159R3NL5ATR , SVGP159R3NL5TR , SVGP20110NP7 , 2SK3568 , SVGP20110NSTR , SVGP20110NT , SVGP20500NL5 , SVGQ041R3NL5V-2HSTR , SVGQ041R7NL5V-2HSTR , SVGQ042R8NL5V-2HSTR , SVGQ047R6NL5V-2HS , SVGQ06100ND .

History: RJK5032DPH-E0 | E10P02 | BLP065N08G-D | ME4972-G | IXTH44P15T | P4506BD | FMP20N50E

 

 
Back to Top

 


 
.