SVGP20110NSTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVGP20110NSTR
Código: P20110NS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 278 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 88 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 64 nC
Tiempo de subida (tr): 40 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 430 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0107 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVGP20110NSTR
SVGP20110NSTR Datasheet (PDF)
..1. Size:504K silan
svgp20110nt svgp20110ns svgp20110nstr svgp20110np7.pdf
svgp20110nt svgp20110ns svgp20110nstr svgp20110np7.pdf
SVGP20110NT(S)(P7) 88A200V N 2SVGP20110NT(S)(P7) N MOS LVMOS 1
8.1. Size:410K silan
svgp20500nl5.pdf
svgp20500nl5.pdf
SVGP20500NL5 24A200V N SD18SVGP20500NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .