SVGP20110NSTR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVGP20110NSTR  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0107 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVGP20110NSTR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVGP20110NSTR даташит

 ..1. Size:504K  silan
 svgp20110nt svgp20110ns svgp20110nstr svgp20110np7.pdf pdf_icon

SVGP20110NSTR

 8.1. Size:410K  silan
 svgp20500nl5.pdf pdf_icon

SVGP20110NSTR

SVGP20500NL5 24A 200V N S D 1 8 SVGP20500NL5 N MOS S D 2 7 LVMOS D S 3 6

Другие IGBT... SVGP15751PL3, SVGP157R2NS, SVGP157R5NP7, SVGP157R5NT, SVGP159R3NL5ATR, SVGP159R3NL5TR, SVGP20110NP7, SVGP20110NS, SPP20N60C3, SVGP20110NT, SVGP20500NL5, SVGQ041R3NL5V-2HSTR, SVGQ041R7NL5V-2HSTR, SVGQ042R8NL5V-2HSTR, SVGQ047R6NL5V-2HS, SVGQ06100ND, SVGQ06130PD