SVGQ06100ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVGQ06100ND
Código: Q06100ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 88 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 19 nC
Tiempo de subida (tr): 31 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 380 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVGQ06100ND
SVGQ06100ND Datasheet (PDF)
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SVGQ041R3NL5V-2HS 190A40V N S D1 8SVGQ041R3NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V
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SVGQ042R8NL5V-2HS 112A40V N S D1 8SVGQ042R8NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V
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SVGQ041R7NL5V-2HS 160A40V N S D1 8SVGQ041R7NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V
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SVGQ047R6NL5V-2HS 65A40V N S D1 8SVGQ047R6NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V
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