SVGQ06100ND datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVGQ06100ND datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVGQ06100ND 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO252

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVGQ06100ND

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:419K silan
svgq06100nd.pdf pdf_icon

SVGQ06100ND 60A 60V N 2 SVGQ06100ND N MOS LVMOS 1

7.1. Size:420K silan
svgq06130pd.pdf pdf_icon

9.1. Size:455K silan
svgq041r3nl5v-2hstr.pdf pdf_icon

SVGQ041R3NL5V-2HS 190A 40V N S D 1 8 SVGQ041R3NL5V-2HS N MOS S 7 D 2 LVMOS D S 3 6 G 4 5 D 12V

9.2. Size:417K silan
svgq042r8nl5v-2hstr.pdf pdf_icon

SVGQ042R8NL5V-2HS 112A 40V N S D 1 8 SVGQ042R8NL5V-2HS N MOS S 7 D 2 LVMOS D S 3 6 G 4 5 D 12V