Справочник MOSFET. SVGQ06100ND

 

SVGQ06100ND Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVGQ06100ND
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SVGQ06100ND

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVGQ06100ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:419K  silan
 svgq06100nd.pdf pdf_icon

SVGQ06100ND

SVGQ06100ND 60A60V N 2SVGQ06100ND N MOS LVMOS 1

 7.1. Size:420K  silan
 svgq06130pd.pdf pdf_icon

SVGQ06100ND

SVGQ06130PD -80A-60V P 2 SVGQ06130PD P MOS 1 LVMOS 3

 9.1. Size:455K  silan
 svgq041r3nl5v-2hstr.pdf pdf_icon

SVGQ06100ND

SVGQ041R3NL5V-2HS 190A40V N S D1 8SVGQ041R3NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V

 9.2. Size:417K  silan
 svgq042r8nl5v-2hstr.pdf pdf_icon

SVGQ06100ND

SVGQ042R8NL5V-2HS 112A40V N S D1 8SVGQ042R8NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVGP20110NS , SVGP20110NSTR , SVGP20110NT , SVGP20500NL5 , SVGQ041R3NL5V-2HSTR , SVGQ041R7NL5V-2HSTR , SVGQ042R8NL5V-2HSTR , SVGQ047R6NL5V-2HS , IRF530 , SVGQ06130PD , SVGQ109R5NAD , SVS11N60DD2TR , SVS11N60FD2 , SVS11N60FJD2 , SVS11N60KD2 , SVS11N60SD2 , SVS11N60SD2TR .

History: HGP053N06S | 2SK3712 | CEU6426 | HGP029NE4SL | 2N4860 | HM60N04 | P0706BD

 

 
Back to Top

 


 
.