SVGQ109R5NAD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SVGQ109R5NAD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 107 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 94 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tiempo de subida (tr): 33 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 390 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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