SVGQ109R5NAD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SVGQ109R5NAD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SVGQ109R5NAD
SVGQ109R5NAD Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... SVGP20110NT , SVGP20500NL5 , SVGQ041R3NL5V-2HSTR , SVGQ041R7NL5V-2HSTR , SVGQ042R8NL5V-2HSTR , SVGQ047R6NL5V-2HS , SVGQ06100ND , SVGQ06130PD , AON6380 , SVS11N60DD2TR , SVS11N60FD2 , SVS11N60FJD2 , SVS11N60KD2 , SVS11N60SD2 , SVS11N60SD2TR , SVS11N60TD2 , SVS11N65DD2TR .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011