SVGQ109R5NAD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVGQ109R5NAD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVGQ109R5NAD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVGQ109R5NAD даташит

 ..1. Size:424K  silan
 svgq109r5nad.pdf pdf_icon

SVGQ109R5NAD

SVGQ109R5NAD 94A 100V N 2 SVGQ109R5NAD N MOS LVMOS 1

Другие IGBT... SVGP20110NT, SVGP20500NL5, SVGQ041R3NL5V-2HSTR, SVGQ041R7NL5V-2HSTR, SVGQ042R8NL5V-2HSTR, SVGQ047R6NL5V-2HS, SVGQ06100ND, SVGQ06130PD, AON6380, SVS11N60DD2TR, SVS11N60FD2, SVS11N60FJD2, SVS11N60KD2, SVS11N60SD2, SVS11N60SD2TR, SVS11N60TD2, SVS11N65DD2TR