2SK2788 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK2788

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: UPAK

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2SK2788 datasheet

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2SK2788

Preliminary Datasheet 2SK2788 R07DS0511EJ0300 (Previous REJ03G1033-0200) Silicon N Channel MOS FET Rev.3.00 High Speed Power Switching Jul 27, 2011 Features Low on-resistance RDS(on) = 0.12 typ (VGS = 10 V, ID = 1 A) Low drive current High speed switching 4 V gate drive devices. Outline RENESAS Package code PLZZ0004CA-A (Package name UPAK) D 1

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2SK2788

2SK2788 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1033-0200 (Previous ADE-208-538) Rev.2.00 Sep.07,2005 Features Low on-resistance RDS(on) = 0.12 typ (VGS = 10 V, ID = 1 A) Low drive current High speed switching 4 V gate drive devices. Outline RENESAS Package code PLZZ0004CA-A (Package name UPAK R ) D 1 2 1. Gate 3 2. Dra

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2SK2788

2SK2782 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L - -MOSV) 2SK2782 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit mm 4 V gate drive Low drain-source ON resistance R = 0.039 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 11 S (typ.) fs Low leakage current IDSS = 100 A (max) (V = 60 V) DS Enhancemen

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2SK2788

2SK2789 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L - -MOSV) 2SK2789 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit mm 4 V gate drive Low drain-source ON resistance R = 66 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 16 S (typ.) fs Low leakage current IDSS = 100 A (max) (V = 100 V) DS Enhancement

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