2SK2788 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK2788
Маркировка: VY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: UPAK
2SK2788 Datasheet (PDF)
r07ds0511ej 2sk2788.pdf

Preliminary Datasheet 2SK2788 R07DS0511EJ0300(Previous: REJ03G1033-0200)Silicon N Channel MOS FET Rev.3.00High Speed Power Switching Jul 27, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 0.12 typ (VGS = 10 V, ID = 1 A) Low drive current High speed switching 4 V gate drive devices. Outline RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A(Package name: UPAK) D1
2sk2788.pdf

2SK2788 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1033-0200 (Previous: ADE-208-538) Rev.2.00 Sep.07,2005 Features Low on-resistance RDS(on) = 0.12 typ (VGS = 10 V, ID = 1 A) Low drive current High speed switching 4 V gate drive devices. Outline RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A(Package name: UPAK R )D12 1. Gate32. Dra
2sk2782.pdf

2SK2782 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L --MOSV) 2SK2782 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.039 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 11 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (V = 60 V) DS Enhancemen
2sk2789.pdf

2SK2789 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L --MOSV) 2SK2789 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 66 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 16 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (V = 100 V) DS Enhancement
Другие MOSFET... 2SK2734 , 2SK2735 , 2SK2736 , 2SK2737 , 2SK2738 , 2SK2753-01 , 2SK2778 , 2SK2779 , AO4407 , 2SK2796 , 2SK2800 , 2SK2802 , 2SK2803 , 2SK2804 , 2SK2805 , 2SK2848 , 2SK2849-01L .
History: SIR168DP | AO4928



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DH060N07D | DH060N07B | DH060N03R | DH045N06I | DH045N06F | DH045N06E | DH045N06D | DH045N06B | DH045N06 | DH045N04P | DH045N04I | DH045N04F | DH045N04E | DH045N04D | DH045N04B | DH045N04
Popular searches
a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet