2SK2788 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SK2788
Маркировка: VY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: UPAK
2SK2788 Datasheet (PDF)
r07ds0511ej 2sk2788.pdf
Preliminary Datasheet 2SK2788 R07DS0511EJ0300(Previous: REJ03G1033-0200)Silicon N Channel MOS FET Rev.3.00High Speed Power Switching Jul 27, 2011Features Low on-resistance RDS(on) = 0.12 typ (VGS = 10 V, ID = 1 A) Low drive current High speed switching 4 V gate drive devices. Outline RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A(Package name: UPAK) D1
2sk2788.pdf
2SK2788 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1033-0200 (Previous: ADE-208-538) Rev.2.00 Sep.07,2005 Features Low on-resistance RDS(on) = 0.12 typ (VGS = 10 V, ID = 1 A) Low drive current High speed switching 4 V gate drive devices. Outline RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A(Package name: UPAK R )D12 1. Gate32. Dra
2sk2782.pdf
2SK2782 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L --MOSV) 2SK2782 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.039 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 11 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (V = 60 V) DS Enhancemen
2sk2789.pdf
2SK2789 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L --MOSV) 2SK2789 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 66 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 16 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (V = 100 V) DS Enhancement
Другие MOSFET... 2SK2734 , 2SK2735 , 2SK2736 , 2SK2737 , 2SK2738 , 2SK2753-01 , 2SK2778 , 2SK2779 , IRF1010E , 2SK2796 , 2SK2800 , 2SK2802 , 2SK2803 , 2SK2804 , 2SK2805 , 2SK2848 , 2SK2849-01L .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918