FDP51N25 Todos los transistores

 

FDP51N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDP51N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 320 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 55 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FDP51N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2977K  fairchild semi
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FDP51N25

July 2008UniFETTMFDP51N25 / FDPF51N25 250V N-Channel MOSFETFeatures Description 51A, 250V, RDS(on) = 0.06 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 55 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low Crss ( typical 63 pF) stripe, DMOS technology. Fast switchingThis advanced technology has

 ..2. Size:1193K  onsemi
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FDP51N25

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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