FDP51N25 - описание и поиск аналогов

 

FDP51N25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDP51N25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FDP51N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP51N25 даташит

 ..1. Size:2977K  fairchild semi
 fdp51n25 fdpf51n25.pdf pdf_icon

FDP51N25

July 2008 UniFETTM FDP51N25 / FDPF51N25 250V N-Channel MOSFET Features Description 51A, 250V, RDS(on) = 0.06 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 55 nC) transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low Crss ( typical 63 pF) stripe, DMOS technology. Fast switching This advanced technology has

 ..2. Size:1193K  onsemi
 fdp51n25 fdpf51n25.pdf pdf_icon

FDP51N25

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FDP2710F085 , FDP33N25 , FDP3651U , STM4410A , FDP3672 , FDP3682 , STM301N , FDP42AN15A0 , SKD502T , FDP52N20 , STM201N , FDP5500F085 , FDP55N06 , FDP5800 , FDP5N50NZ , FDP5N60NZ , STM122N .

History: FQD13N10L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.