Справочник MOSFET. FDP51N25

 

FDP51N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDP51N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP51N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2977K  fairchild semi
fdp51n25 fdpf51n25.pdfpdf_icon

FDP51N25

July 2008UniFETTMFDP51N25 / FDPF51N25 250V N-Channel MOSFETFeatures Description 51A, 250V, RDS(on) = 0.06 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 55 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low Crss ( typical 63 pF) stripe, DMOS technology. Fast switchingThis advanced technology has

 ..2. Size:1193K  onsemi
fdp51n25 fdpf51n25.pdfpdf_icon

FDP51N25

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NCE0250D | ITF87008DQT | FDN359AN | SI1402DH | 2N4338 | IRFW820A | FDP19N40

 

 
Back to Top

 


 
.