SVSP60R090LHD4TR Todos los transistores

SVSP60R090LHD4TR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVSP60R090LHD4TR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 266 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: TOLL-8L

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros