Справочник MOSFET. SVSP60R090LHD4TR

 

SVSP60R090LHD4TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVSP60R090LHD4TR
   Маркировка: P60R090L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 266 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 87 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TOLL-8L
 

 Аналог (замена) для SVSP60R090LHD4TR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVSP60R090LHD4TR Datasheet (PDF)

 0.1. Size:604K  silan
svsp60r090p7hd4 svsp60r090lhd4tr svsp60r090fjdhd4.pdfpdf_icon

SVSP60R090LHD4TR

SVSP60R090P7(L)(FJD)HD4 38A, 600V MOS 2 TabSVSP60R090P7(L)(FJD)HD4 N MOSFET1 pin1 MOS 3 Pin2-8SVSP60R090P7(L)(FJD)HD4

 6.1. Size:473K  silan
svsp60r033p7hd4.pdfpdf_icon

SVSP60R090LHD4TR

SVSP60R033P7HD4 83A, 600V MOS 2SVSP60R033P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP60R033P7HD4 /3

 9.1. Size:509K  silan
svsp65r050p7hd4.pdfpdf_icon

SVSP60R090LHD4TR

SVSP65R050P7HD4 60A, 650V MOS 2SVSP65R050P7HD4 N MOSFET MOS 1 SVSP65R050P7HD4 /

 9.2. Size:571K  silan
svsp65r110p7hd4 svsp65r110thd4 svsp65r110shd4 svsp65r110shd4tr svsp65r110fjdhd4 svsp65r110lhd4tr.pdfpdf_icon

SVSP60R090LHD4TR

SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 35A650V MOS Tab2SVSP65R110P7(T)(S)(FJD)(L)HD4 N 1 pin1MOSFET MOS 3 Pin2-8 Pin1. Tab. 1.

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FRK9150R

 

 
Back to Top

 


 
.