FDP52N20 Todos los transistores

 

FDP52N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDP52N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FDP52N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1196K  fairchild semi
 fdp52n20 fdpf52n20t.pdf pdf_icon

FDP52N20

October 2007UniFETTMFDP52N20 / FDPF52N20TtmN-Channel MOSFET200V, 52A, 0.049Features Description RDS(on) = 0.041 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 26A These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( Typ. 49nC)DMOS technology. Low Crss ( Typ. 66pF)This advance technology h

Otros transistores... FDP33N25 , FDP3651U , STM4410A , FDP3672 , FDP3682 , STM301N , FDP42AN15A0 , FDP51N25 , IRFB3607 , STM201N , FDP5500F085 , FDP55N06 , FDP5800 , FDP5N50NZ , FDP5N60NZ , STM122N , FDP61N20 .

History: KF19N20F | IXFK27N80 | FDC3612 | BUK456-800A | IRLR2905 | STH15NA50 | IRLR3410

 

 
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