FDP52N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDP52N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 49 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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FDP52N20 Datasheet (PDF)

..1. Size:1196K fairchild semi
fdp52n20 fdpf52n20t.pdf

October 2007UniFETTMFDP52N20 / FDPF52N20TtmN-Channel MOSFET200V, 52A, 0.049Features Description RDS(on) = 0.041 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 26A These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( Typ. 49nC)DMOS technology. Low Crss ( Typ. 66pF)This advance technology h

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Liste

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