FDP52N20 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDP52N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm

Encapsulados: TO220

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FDP52N20 datasheet

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FDP52N20

October 2007 UniFETTM FDP52N20 / FDPF52N20T tm N-Channel MOSFET 200V, 52A, 0.049 Features Description RDS(on) = 0.041 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 26A These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( Typ. 49nC) DMOS technology. Low Crss ( Typ. 66pF) This advance technology h

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