Справочник MOSFET. FDP52N20

 

FDP52N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDP52N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 49 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FDP52N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP52N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1196K  fairchild semi
 fdp52n20 fdpf52n20t.pdf pdf_icon

FDP52N20

October 2007UniFETTMFDP52N20 / FDPF52N20TtmN-Channel MOSFET200V, 52A, 0.049Features Description RDS(on) = 0.041 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 26A These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( Typ. 49nC)DMOS technology. Low Crss ( Typ. 66pF)This advance technology h

Другие MOSFET... FDP33N25 , FDP3651U , STM4410A , FDP3672 , FDP3682 , STM301N , FDP42AN15A0 , FDP51N25 , IRFB3607 , STM201N , FDP5500F085 , FDP55N06 , FDP5800 , FDP5N50NZ , FDP5N60NZ , STM122N , FDP61N20 .

History: FRS140R | FQP8N80C

 

 
Back to Top

 


 
.