FDP52N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDP52N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 357 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 52 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 49 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.049 Ohm
Тип корпуса: TO220
FDP52N20 Datasheet (PDF)
..1. Size:1196K fairchild semi
fdp52n20 fdpf52n20t.pdf
fdp52n20 fdpf52n20t.pdf
October 2007UniFETTMFDP52N20 / FDPF52N20TtmN-Channel MOSFET200V, 52A, 0.049Features Description RDS(on) = 0.041 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 26A These N-Channel enhancement mode power field effect transis-tors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, Low gate charge ( Typ. 49nC)DMOS technology. Low Crss ( Typ. 66pF)This advance technology h
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
