FDP52N20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDP52N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FDP52N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP52N20 даташит

 ..1. Size:1196K  fairchild semi
 fdp52n20 fdpf52n20t.pdf pdf_icon

FDP52N20

October 2007 UniFETTM FDP52N20 / FDPF52N20T tm N-Channel MOSFET 200V, 52A, 0.049 Features Description RDS(on) = 0.041 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 26A These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( Typ. 49nC) DMOS technology. Low Crss ( Typ. 66pF) This advance technology h

Другие IGBT... FDP33N25, FDP3651U, STM4410A, FDP3672, FDP3682, STM301N, FDP42AN15A0, FDP51N25, K4145, STM201N, FDP5500F085, FDP55N06, FDP5800, FDP5N50NZ, FDP5N60NZ, STM122N, FDP61N20