SVT032R5ND Todos los transistores

 

SVT032R5ND MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVT032R5ND

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 756 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: TO252

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SVT032R5ND datasheet

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SVT032R5ND

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SVT032R5ND

SVT03200PSA -12A -30V P 5 6 7 8 4. SVT03200PSA P MOS 1 2 3. LVMOS 5 6 7 8. 4

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SVT032R5ND

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History: IXFE73N30Q | AP70WN2K8I | SGW100N025 | WM03P41M2 | AP70SL950AJB

 

 

 

 

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