SVT032R5ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVT032R5ND
Código: 032R5ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 160 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 103 nC
Tiempo de subida (tr): 45 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 756 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0025 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVT032R5ND
SVT032R5ND Datasheet (PDF)
svt03200psa.pdf
SVT03200PSA -12A-30V P 5 6 7 8 4. SVT03200PSA P MOS 123. LVMOS 5678. 4
svt037r0nl3.pdf
SVT037R0NL3 58A30V N SVT037R0NL3 N MOS S D1 8LVMOS S 7 D2 DS 3 6
svt03110pl3.pdf
SVT03110PL3 -46A-30V P SVT03110PL3 P MOS S D18 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svt03100nl3.pdf
SVT03100NL3 45A30V N SVT03100NL3 N MOS S D1 8LVMOS S 7 D2 DS 3 6
svt035r5nsa.pdf
SVT035R5NSA 21A30V N 5 6 7 8 4. SVT035R5NSA N MOS 123. LVMOS 5678.
svt03380psa.pdf
SVT03380PSA -6.5A-30V P 5 6 7 8 4. SVT03380PSA P MOS 123. 5678. LVMOS 4
svt035r5ndtr svt035r5nmj svt035r5nt.pdf
SVT035R5ND(MJ)(T) 100A30V N 2SVT035R5ND(MJ)(T) N MOS LVMOS 1 1233
svt034r6ndtr svt034r6nt.pdf
SVT034R6ND(T) 120A30V N 2SVT034R6ND(T) N MOS LVMOS 1
svt035r5nl5.pdf
SVT035R5NL5 100A30V N S DSVT035R5NL5 N MOS 1 8SLVMOS 2 7 DD S 3 6
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