SVT032R5ND Todos los transistores

 

SVT032R5ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVT032R5ND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 756 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SVT032R5ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:471K  silan
 svt032r5nd.pdf pdf_icon

SVT032R5ND

SVT032R5ND 160A30V N 2SVT032R5ND N MOS LVMOS 1 3

 8.1. Size:379K  silan
 svt03200psa.pdf pdf_icon

SVT032R5ND

SVT03200PSA -12A-30V P 5 6 7 8 4. SVT03200PSA P MOS 123. LVMOS 5678. 4

 9.1. Size:436K  silan
 svt037r0nl3.pdf pdf_icon

SVT032R5ND

SVT037R0NL3 58A30V N SVT037R0NL3 N MOS S D1 8LVMOS S 7 D2 DS 3 6

 9.2. Size:344K  silan
 svt033r5nt.pdf pdf_icon

SVT032R5ND

SVT033R5NT 180A30V N 2SVT033R5NT N MOS LVMOS 1

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History: DMP1096UCB4 | SMOS44N80 | AM2336N-T1 | AUIRF7734M2 | G11 | CEF05N6

 

 
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