SVT032R5ND - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SVT032R5ND
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 756 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SVT032R5ND
SVT032R5ND Datasheet (PDF)
svt03200psa.pdf

SVT03200PSA -12A-30V P 5 6 7 8 4. SVT03200PSA P MOS 123. LVMOS 5678. 4
svt037r0nl3.pdf

SVT037R0NL3 58A30V N SVT037R0NL3 N MOS S D1 8LVMOS S 7 D2 DS 3 6
Другие MOSFET... SVSP80R180FJDE3 , SVSP80R180P7E3 , SVSP80R180SE3 , SVSP80R180SE3TR , SVT03100ND , SVT03100NL3 , SVT03110PL3 , SVT03200PSA , TK10A60D , SVT03380PSA , SVT033R5NAT , SVT033R5NT , SVT034R0NL5 , SVT034R6NDTR , SVT034R6NT , SVT035R5NDTR , SVT035R5NL5 .
History: IXTP1N120P | FQP13N10 | XP151A13AO | AP09T10GK-HF | SM3319NAQG | FQI7N60 | 60N03
History: IXTP1N120P | FQP13N10 | XP151A13AO | AP09T10GK-HF | SM3319NAQG | FQI7N60 | 60N03



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
Popular searches
d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet