SVT032R5ND MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVT032R5ND
Маркировка: 032R5ND
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 103 nC
trⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 756 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SVT032R5ND
SVT032R5ND Datasheet (PDF)
svt03200psa.pdf
SVT03200PSA -12A-30V P 5 6 7 8 4. SVT03200PSA P MOS 123. LVMOS 5678. 4
svt037r0nl3.pdf
SVT037R0NL3 58A30V N SVT037R0NL3 N MOS S D1 8LVMOS S 7 D2 DS 3 6
svt03110pl3.pdf
SVT03110PL3 -46A-30V P SVT03110PL3 P MOS S D18 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svt03100nl3.pdf
SVT03100NL3 45A30V N SVT03100NL3 N MOS S D1 8LVMOS S 7 D2 DS 3 6
svt035r5nsa.pdf
SVT035R5NSA 21A30V N 5 6 7 8 4. SVT035R5NSA N MOS 123. LVMOS 5678.
svt03380psa.pdf
SVT03380PSA -6.5A-30V P 5 6 7 8 4. SVT03380PSA P MOS 123. 5678. LVMOS 4
svt035r5ndtr svt035r5nmj svt035r5nt.pdf
SVT035R5ND(MJ)(T) 100A30V N 2SVT035R5ND(MJ)(T) N MOS LVMOS 1 1233
svt034r6ndtr svt034r6nt.pdf
SVT034R6ND(T) 120A30V N 2SVT034R6ND(T) N MOS LVMOS 1
svt035r5nl5.pdf
SVT035R5NL5 100A30V N S DSVT035R5NL5 N MOS 1 8SLVMOS 2 7 DD S 3 6
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918