SVT032R5ND Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVT032R5ND
Маркировка: 032R5ND
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 103 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 756 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SVT032R5ND
SVT032R5ND Datasheet (PDF)
svt03200psa.pdf

SVT03200PSA -12A-30V P 5 6 7 8 4. SVT03200PSA P MOS 123. LVMOS 5678. 4
svt037r0nl3.pdf

SVT037R0NL3 58A30V N SVT037R0NL3 N MOS S D1 8LVMOS S 7 D2 DS 3 6
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0302PU | JMSL0302PG2 | JMSL0302DG | JMSL0302BU | JMSL0302AK | JMSL0301TG | JMSL0301AG | JMSH2010PTL | JMSH2010PS | JMSH2010PE | JMSH2010PCQ | JMSH2010PC | JMSH2010BTL | JMSH2010BS | JMSH2010BE | JMSH2010BC
Popular searches
d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet