SVT034R6NDTR Todos los transistores

 

SVT034R6NDTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVT034R6NDTR
   Código: 034R6ND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 32 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 416 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SVT034R6NDTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:425K  silan
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SVT034R6NDTR

SVT034R6ND(T) 120A30V N 2SVT034R6ND(T) N MOS LVMOS 1

 7.1. Size:390K  silan
 svt034r0nl5.pdf pdf_icon

SVT034R6NDTR

SVT034R0NL5 100A30V N SVT034R0NL5 N MOS S D18LVMOS S D2 7 D

 9.1. Size:436K  silan
 svt037r0nl3.pdf pdf_icon

SVT034R6NDTR

SVT037R0NL3 58A30V N SVT037R0NL3 N MOS S D1 8LVMOS S 7 D2 DS 3 6

 9.2. Size:344K  silan
 svt033r5nt.pdf pdf_icon

SVT034R6NDTR

SVT033R5NT 180A30V N 2SVT033R5NT N MOS LVMOS 1

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