SVT034R6NDTR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SVT034R6NDTR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 416 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SVT034R6NDTR
SVT034R6NDTR Datasheet (PDF)
svt034r6ndtr svt034r6nt.pdf
SVT034R6ND(T) 120A30V N 2SVT034R6ND(T) N MOS LVMOS 1
svt037r0nl3.pdf
SVT037R0NL3 58A30V N SVT037R0NL3 N MOS S D1 8LVMOS S 7 D2 DS 3 6
Другие MOSFET... SVT03100NL3 , SVT03110PL3 , SVT03200PSA , SVT032R5ND , SVT03380PSA , SVT033R5NAT , SVT033R5NT , SVT034R0NL5 , IRFB3607 , SVT034R6NT , SVT035R5NDTR , SVT035R5NL5 , SVT035R5NMJ , SVT035R5NSA , SVT035R5NT , SVT037R0NL3 , SVT041R7NT .
History: AP03N70I-H | SPA65R72G
History: AP03N70I-H | SPA65R72G
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor















