FDP5800 Todos los transistores

 

FDP5800 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDP5800
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 242 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 112 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FDP5800 Datasheet (PDF)

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FDP5800

November 2006FDP5800tmN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 60V,80A, 6mFeatures Applications RDS(on) = 4.6m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Motor/ Body Load Control High performance trench technology for extermly low Rdson Power Train Management Low gate Charge Injection Systems High power and current handing capability DC-AC Converter

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FDP5800

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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History: STP180N10F3 | FRE264H

 

 
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