FDP5800 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDP5800

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 242 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de FDP5800 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FDP5800 datasheet

 ..1. Size:609K  fairchild semi
 fdp5800.pdf pdf_icon

FDP5800

November 2006 FDP5800 tm N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 60V,80A, 6m Features Applications RDS(on) = 4.6m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Motor/ Body Load Control High performance trench technology for extermly low Rdson Power Train Management Low gate Charge Injection Systems High power and current handing capability DC-AC Converter

 ..2. Size:679K  onsemi
 fdp5800.pdf pdf_icon

FDP5800

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Otros transistores... FDP3682, STM301N, FDP42AN15A0, FDP51N25, FDP52N20, STM201N, FDP5500F085, FDP55N06, 5N65, FDP5N50NZ, FDP5N60NZ, STM122N, FDP61N20, STM121N, FDP65N06, FDP75N08A, FDP7N50